Иванов Юрий Александрович

   Программный комплекс расчета начального участка ВАХ резонансно-туннельного диода с возможностью проведения машинного статистического эксперимента / Черкасов К. В., Мешков С. А., Иванов Ю. А., Макеев М. О. // Успехи современной радиоэлектроники. - 2019. - № 3. - С. 28-36.

   Моделирование кинетики вольт-амперных характеристик резонансно-туннельных диодов под действием дестабилизирующих факторов / Черкасов К. В., Мешков С. А., Макеев М. О., Иванов Ю. А., Ветрова Н. А., Федоркова Н. В. // Известия ВУЗов. Сер. "Приборостроение". - 2019. - Т. 62, № 10. - С. 929-940.

   Повышение эффективности ректенны в инвазивных биосенсорных системах на базе технологии радиочастотной идентификации за счет применения резонансно-туннельных нанодиодов / Синякин В. Ю., Гудков А. Г., Иванов Ю. А., Мешков С. А., Назаров В. В., Толокнов Ю. О., Шашурин В. Д. // Машиностроитель. - 2016. - № 1. - С. 44-50.

Макеев М. О., Иванов Ю. А., Мешков С. А.
   Оценка стойкости к диффузионной деструкции наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур методом ИК-спектральной эллипсометрии / Макеев М. О., Иванов Ю. А., Мешков С. А. // Физика и техника полупроводников. - 2016. - Т. 50, № 1. - С. 83-88.

Макеев М. О., Мешков С. А., Иванов Ю. А.
   Исследования коэффициентов диффузии Al и Si в AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктурах / Макеев М. О., Мешков С. А., Иванов Ю. А. // Нано- и микросистемная техника. - 2016. - Т. 18, № 8. - С. 493-503.

   Исследование возможностей радиочастотной идентификации с пассивными метками в инвазивной биосенсорике / Гудков А. Г., Иванов Ю. А., Мешков С. А., Агасиева С. В., Петров В. И., Синякин В. Ю., Щукин С. И. // Медицинская техника. - 2015. - № 2. - С. 26-29.

   Исследование толщин и однородности выращивания пленок диоксида кремния методом ИК-спектральной эллипсометрии / Макеев М. О., Иванов Ю. А., Зайончковский В. С., Быков П. А. // Наноинженерия. - 2015. - № 3. - С. 3-6.

   Применение резонансно-туннельных нанодиодов для повышения эффективности преобразователя электромагнитной энергии инвазивных биосенсорных систем на базе технологии радиочастотной идентификации / Иванов Ю. А., Гудков А. Г., Мешков С. А., Шашурин В. Д., Клевцов В. А., Агасиева С. В., Синякин В. Ю. // Электромагнитные волны и электронные системы. - 2014. - Т. 19, № 4. - С. 60-65.

   Моделирование кинетики вольт-амперных характеристик ALAs –GaAs резонансно-туннельных диодов в результате диффузионных процессов в его структуре / Макеев М. О., Иванов Ю. А., Литвак Ю. Н., Мешков С. А., Мигаль Д. Э., Назаров В. В. // Наноинженерия. - 2014. - № 1. - С. 24-29.

   Применение тенологии радиочастотной идентификации с пассивными метками в инвазивной биосенсорике / Иванов Ю. А., Агасиева С. В., Гудков А. Г., Мешков С. А., Синякин В. Ю., Шашурин В. Д. // Машиностроитель. - 2014. - № 5. - С. 12-20.

   Исследования термической деградации резонансно-туннельных диодов на базе AlAs/GaAs-наногетероструктур / Макеев М. О., Иванов Ю. А., Мешков С. А., Синякин В. Ю. // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 12. - С. 23-29.

   Смеситель радиосигналов на основной гармонике гетеродина на основе резонансно-туннельного диода / Гудков А. Г., Иванов Ю. А., Мешков С. А., Скороходов Е. А., Федоркова Н. В., Шашурин В. Д. // Техника машиностроения. - 2013. - № 2. - С. 40-44.

   Перспективы разработки нелинейных преобразователей радиосигналов на базе резонансно-туннельных нанодиодов / Ветрова Н. А., Иванов Ю. А., Мешков С. А., Назаров В. В., Синякин В. Ю., Федоренко И. А., Федоркова Н. В., Шашурин В. Д. // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Приборостроение. - 2012. - № 4. - С. 100-113.

   Исследование металлоорганических гетероструктур методами широкополосной ИК элипсометрии-спектроскопии / Макеев М. О., Иванов Ю. А., Ветрова Н. А., Козубняк С. А. // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Приборостроение. - 2010. - № спецвыпуск. - С. 80-91.

   Улучшение параметров приемника СВЧ-диапазона применением резонансно-туннельного нанодиода в преобразователе частоты / Иванов Ю. А., Мешков С. А., Федоренко И. А., Федоркова Н. В. // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Приборостроение. - 2010. - № спецвыпуск. - С. 128-137.

Иванов Ю. А., Мешков С. А., Шашурин В. Д.
   Исследование и разработка наноэлектронных гетероструктур на основе А3В5 полупроводников с поперечным токопереносом для перспективной элементной базы / Иванов Ю. А., Мешков С. А., Шашурин В. Д. // Инженерно-физические проблемы новой техники : сборник материалов 8-го Всероссийского совещания-семинара, МГТУ им. Н. Э. Баумана, 24-26 окт. 2006 г. / Федеральное агентство по образованию, МГТУ им. Н. Э. Баумана, МГУ им. М. В. Ломоносова, Институт проблем машиноведения РАН, Институт психологии РАН. - М., 2006. - С. 24.

   Нанотехнология и микромеханика : учеб. пособие / МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2005.
   Ч. 5 : Надежность наноприборов и радиоэлектронных устройств на их основе / Шашурин В. Д., Ветрова Н. А., Иванов Ю. А. [и др.]. - 2012. - 84 с. : ил. - Библиогр.: с. 83.