Герб МГТУ им. Н.Э. БауманаНаучно-техническая библиотека МГТУ им. Н.Э. Баумана

Подробное описание документа

   Статья

   Моделирование кинетики вольт-амперных характеристик резонансно-туннельных диодов под действием дестабилизирующих факторов / Черкасов К. В., Мешков С. А., Макеев М. О., Иванов Ю. А., Ветрова Н. А., Федоркова Н. В. // Известия ВУЗов. Сер. "Приборостроение". - 2019. - Т. 62, № 10. - С. 929-940.

621.382.233 Плоскостные диоды с несколькими p-n-переходами

Статья опубликована в следующих изданиях

с. 929-940
   Журнал
   Известия ВУЗов. Сер. "Приборостроение".
   Т. 62, № 10. - 2019.