Личный кабинет
Подробное описание документа
Захаров П. С.
Свойства проводящего канала в тонких пленках субоксида кремния / Захаров П. С., Зайончковский В. С., Баскаков Е. Б. - DOI 10.18698/2308-6033-2013-6-797 // Инженерный журнал: наука и инновации. - 2013. - № 6. -
Скачать документ
Проведен анализ вольт-амперных характеристик МДП-структур для различных температур. Основное внимание уделено проводящему каналу в матрице нестехиометрического оксида кремния. С помощью построения графиков в различных координатах установлено, что лимитирующим механизмом проводимости является эффект Шоттки. Температурная зависимость тока для заданного напряжения позволила определить величину энергетического барьера 0,12 эВ. Показано, что увеличение температуры образца на 200K приводит к значительному снижению эффективной диэлектрической проницаемости материала проводящего канала, что позволяет говорить о дипольной поляризации вещества. Такое поведение может быть обусловлено высоким содержанием заряженных дефектов в матрице нестехиометрического оксида, которые представляют собой трехкоординированные атомы кремния, обладающие большей способностью к ориентации в электрическом поле, чем четырехкоординированные.
Статья опубликована в следующих изданиях
№ 6. - 2013.
