Личный кабинет
Подробное описание документа
Исследования деградации резонансно-туннельных диодов на базе AlAs/GaAs наногетероструктур / Макеев М. О., Иванов Ю. А., Мешков С. А., Литвак Ю. Н., Ветрова Н. А. - DOI 10.18698/2308-6033-2013-6-811 // Инженерный журнал: наука и инновации. - 2013. - № 6. -
Скачать документ
Для радиотехнических устройств на основе наноразмерных многослойных полупроводниковых гетероструктур актуальна проблема обеспечения надежности вследствие чувствительности параметров гетероструктуры к процессам деградации ввиду малости толщин слоев. В данной работе проведены исследования термической деградации AlAs/GaAs наногетероструктуры и партии резонансно-туннельных диодов с использованием методов ИК-спектральной эллипсометрии и ускоренного старения полупроводниковых устройств. В результате определены активационные параметры диффузии (энергия активации и предэкспоненциальный множитель) Al и Si в резонансно-туннельной структуре и приконтактных областях и зависимость контактного сопротивления AuGeNi омических контактов от времени и температуры. Полученные в настоящей работе числовые характеристики основных деградационных процессов могут быть использованы для прогнозирования надежности резонансно-туннельных диодов и нелинейных преобразователей радиосигналов на их основе.
Статья опубликована в следующих изданиях
№ 6. - 2013.
