Личный кабинет
Подробное описание документа
Панфилова Е. В.
Анализ механизма формирования фотонных запрещенных зон в гетероструктурах, получаемых при осаждении тонких пленок на поверхность коллоидных пленок / Панфилова Е. В., Медведева О. М., Минько К. Р. - DOI 10.18698/2308-6033-2022-2-2157 // Инженерный журнал: наука и инновации. - 2022. - № 2. -
Скачать документ
Фотонно-кристаллические пленки, получаемые в результате самоорганизации коллоидных сферических частиц, служат основой для формирования разнообразных микро- и наноструктур. Перспективы их использования связаны с созданием устройств оптоэлектроники, оптических и полупроводниковых сенсоров и микроэлектромеханических систем. Представлен анализ механизма формирования фотонной запрещенной зоны в гетероструктурах, полученных методом вакуумного осаждения функционального материала на поверхность фотонно-кристаллической коллоидной пленки, имеющей структуру опаловой матрицы. Рассмотрены эффекты дифракции Брэгга — Вульфа на образующихся в такой структуре слоях. Показано, что внедрение осаждаемого материала в межсферические пустоты коллоидной пленки может существенно влиять на параметры фотонной запрещенной зоны. Приведен пример анализа фотонной запрещенной слоистой гетероструктуры, сформировавшейся при осаждении никеля на коллоидную пленку диоксида кремния.
Статья опубликована в следующих изданиях
№ 2. - 2022.
