Личный кабинет
Подробное описание документа
Сагателян Г. Р.
Влияние технологических факторов магнетронного напыления на сопротивление тонкопленочных резисторов / Сагателян Г. Р., Новиков С. Ю., Шишлов А. В. - DOI 10.18127/j22250980-202602-04 // Нанотехнологии. Разработка. Применение. ХХI век. - 2026. - Т. 18, № 2. -
Постановка проблемы. В настоящее время актуальными являются исследования технологии магнетронного распыления, широко применяемой для получения тонкопленочных резисторов из хрома методом магнетронного распыления, а также определение оптимальных режимов для достижения воспроизводимых результатов.
Цель. Установить количественные и качественные закономерности влияния давления инертного газа p и тока магнетрона I на удельное поверхностное сопротивление покрытия и сопротивление тонкопленочных резисторов, а также определить оптимальные режимы для получения воспроизводимых результатов магнетронного напыления.
Результаты. Экспериментально получены резисторы благодаря высокой скорости осаждения, хорошей адгезии и возможности масштабирования процессов. Отмечено, что основной проблемой при производстве таких резисторов является обеспечение точного и воспроизводимого значения электрического сопротивления, которое определяется комплексом структурных и кинетических факторов, зависящих от технологических режимов напыления. Установлено, что отсутствие систематических данных о совместном влиянии давления аргона и тока магнетрона на сопротивление пленок затрудняет прогнозирование номиналов резисторов на этапе технологического проектирования. Показано, что при фиксированном низком токе увеличение давления вызывает снижение сопротивления, тогда как при фиксированном высоком токе наблюдается рост сопротивления. Замечено, что повышение тока при фиксированном давлении во всех исследованных режимах приводит к уменьшению сопротивления. Выявленные закономерности объяснены с позиций оптимизации механических напряжений, изменения размера зерен, подвижности адатомов и скорости осаждения. Практическая значимость. Полученные результаты позволяют прогнозировать номиналы тонкопленочных резисторов на этапе технологического проектирования, оптимизировать режимы напыления для достижения требуемых электрофизических характеристик и повысить воспроизводимость параметров при серийном производстве. Разработанные подходы могут быть использованы для других резистивных материалов и технологических конфигураций.
Ключевые слова тонкопленочные резисторы, магнетронное распыление, давление аргона, ток магнетрона, электрическое сопротивление, физическое осаждение из паровой фазы (pvd), хромовые пленки, технологические режимы напыления
621.767 Формообразование распылением. Изготовление фасонных изделий путем осаждения распыленных металлов
Статья опубликована в следующих изданиях
Т. 18, № 2. - 2026.
