Подробное описание документа

   Электронные свойства дислокаций в полупроводниках / Осипьян Ю. А., Бредихин С. И., Кведер В. В. [и др.] ; ред. Осипьян Ю. А. - М. : Эдиториал УРСС, 2000. - 319 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 5-8360-0068-9.

Аннотация

Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокаций в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях А2В6. Книга выполнена в виде нескольких обзорных статей, написанных академиком Ю. А. Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокаций в полупроводниках.
В книге проведено систематическое изложение современных данных по влиянию дислокаций на электронный энергетический спектр, электрические и оптические характеристики полупроводников. Подробно рассмотрено взаимодействие дислокаций с другими дефектами и примесями.
Книга предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся в области физики твёрдого тела, а также для преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.

УДК

537.311.322 в полупроводниковых материалах

Предметные рубрики

• Полупроводники - Электронная теория

Общее кол-во в фондах

2 экз.

1. Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
2. Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313