Подробное описание документа

Васильев А. В., Баранов А. И.
   Дефектно-примесные реакции в полупроводниках / Васильев А. В., Баранов А. И. ; РАН. СО. Ин-т физики полупроводников ; отв. ред. Овсюк В. Н. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2001. - 255 с. - Библиогр. в конце гл. - ISBN 5-7692-0428-1.

Аннотация

Книга посвящена физическим процессам в атомной подсистеме полупроводников главным образом кремния. Изложение проводится в рамках единого представления: в основе всех процессов лежат реакции между дефектами и примесями, присутствующими в исходном кристалле или вводимыми специальными обработками. Сформулированы общие положения о реакциях и о дефектах в твердых телах. Проведена классификация основных дефектно-примесных реакций в кремнии. Подробно рассмотрены реакции в кремнии с участием кислорода, водорода, углерода; реакции образования метастабильных и радиационных дефектов; взаимосвязь процессов дефектообразования и диффузии. Дан обзор результатов исследований крупных дефектных ассоциаций: термодоноров, разупорядоченных областей, примесных агломератов. Представлена оригинальная теория реакций между нейтральными и заряженными центрами в полупроводниках.
Для широкого круга читателей.

УДК

537.311.322 в полупроводниковых материалах

Предметные рубрики

• Полупроводники - Дефекты
• Кремний - Дефекты

Общее кол-во в фондах

3 экз.

1. Преподавательский абонемент ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
2. Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
3. Читальный зал ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
4. Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313