Андреев Дмитрий Владимирович

Тип публикации Авторы Заглавие Издание, год, номер, страницы
Статья в журнале Андреев Дмитрий Владимирович МГТУ
Накопление и стирание радиационно-индуцированного заряда в МОП-структурах Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
2024 .- № 6 .- С. 93 - 98
Статья в журнале Andreev D. V. МГТУ
Accumulation and Suppression of Radiation-Induced Charge in MOS Structures Journal of Surface Investigation
2024 .- Vol. 18 , Issue 2 .- С. 461 - 465
Статья в журнале Andreev D. V. МГТУ
Andreev V. V. МГТУ
Konuhova M.
Popov A. I.
Technique of High-Field Electron Injection for Wafer-Level Testing of Gate Dielectrics of MIS Devices Technologies
2024 .- № 12(7) .- Art.no 102
Статья в журнале Андреев Дмитрий Владимирович МГТУ
Бондаренко Г. Г.
Андреев Владимир Викторович МГТУ
Изменение зарядового состояния МОП-структур с радиационно-индуцированным зарядом при сильнополевой инжекции электронов Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
2023 .- № 1 .- С. 55 - 60
Статья в журнале Бурухин М. К.
Рыжов С. В.
Андреев Дмитрий Владимирович МГТУ
Романов В. М.
Метод электрической подгонки ИМС на основе пережигаемых поликремниевых перемычек Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета
2023 .- № 86 .- С. 186 - 195
Статья в журнале Власовский А. И. МГТУ
Ахмелкин Д. М.
Андреев Дмитрий Владимирович МГТУ
Мануйлов Александр Владимирович МГТУ
Масюк Владимир Михайлович МГТУ
Андреев Владимир Викторович МГТУ
Применение термопластичных полимеров при создании аксиального синхронного электродвигателя для агрессивных сред Электронные информационные системы
2023 .- № 4 (39) .- С. 65 - 73
Статья в журнале Кяримов Э. В. МГТУ
Тарасенко В. Ф. МГТУ
Андреев Дмитрий Владимирович МГТУ
Исследование влияния проволочной и ленточной разварки, а так же компаунда на параметры четырехканального переключателя на на pin-диодах Политехнический молодежный журнал
2023 .- № 6 (83)
Статья в журнале Andreev D. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Andreev V. V. МГТУ
Change in the Charge State of MOS Structures with a Radiation-Induced Charge under High-Field Injection of Electrons Journal of Surface Investigation
2023 .- Vol. 17 , No 1 .- С. 48 - 53
Статья в журнале Andreev D. V. МГТУ
Maslovsky V. M.
Andreev V. V. МГТУ
Technique of Time Depend Dielectric Breakdown for the Wafer-Level Testing of Thin Dielectrics of MIS Devices Russian Microelectronics
2023 .- Vol. 52 , Issue Suppl 1 .- С. S279 - S284
Материал конференции Andreev D. V. МГТУ
Maslovsky V. M.
Andreev V. V. МГТУ
Stolyarov A. A. МГТУ
Modification of Bounded J-Ramp Method to monitor reliability and charge degradation of gate dielectric of MIS devices Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
2022 .- Vol. 12157 .- Art.no 121571M
Статья в журнале Andreev D. V. МГТУ
Maslovsky V. M.
Andreev V. V. МГТУ
Stolyarov A. A. МГТУ
Modified Ramped Current Stress Technique for Monitoring Thin Dielectrics Reliability and Charge Degradation Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
2022 .- Vol. 219 , Issue 9 .- Art.no 2100400
Материал конференции Andreev D. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Andreev V. V. МГТУ
Loskutov S. A. МГТУ
Programmable set to monitor charge state change of MIS devices under high-fields Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies, MWENT 2022 - Proceedings
Статья в журнале Andreev D. V. МГТУ
Technique of Control of the Gate Dielectric of MIS Structures Based on High-Field Charge Injection Inorganic Materials: Applied Research
2022 .- Vol. 13 , Issue 2 .- С. 575 - 579
Статья в журнале Андреев Дмитрий Владимирович МГТУ
Методика контроля подзатворного диэлектрика мдп-структур на основе сильнополевой инжекции заряда Перспективные материалы
2021 .- № 8 .- С. 81 - 88
Статья в журнале Andreev D. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Andreev V. V. МГТУ
Stolyarov A. A. МГТУ
Increasing the Charge Stability of Gate Dielectric Films of MIS Structures by Doping Them with Phosphorus Inorganic Materials: Applied Research
2021 .- Vol. 12 , Issue 2 .- С. 517 - 520
Материал конференции Andreev D. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Andreev V. V. МГТУ
Stolyarov A. A. МГТУ
Modeling of charge effects in dielectric films of radiation MOS sensors Journal of Physics: Conference Series
2021 .- Vol. 1740 , Issue 1 .- Art.no 012034
Статья в журнале Андреев Дмитрий Владимирович МГТУ
Кулагин В. С. МГТУ
Автоматизированная установка измерения квазистатических вольт-фарадных характеристик МДП-структур Электронный журнал: наука, техника и образование
2020 .- № 2 (29) .- С. 58 - 63
Статья в журнале Андреев Дмитрий Владимирович МГТУ
Бондаренко Г. Г.
Андреев Владимир Викторович МГТУ
Масловский В. М.
Столяров Александр Алексеевич МГТУ
Зарядовые явления в диэлектрических пленках МДП-структур при одновременном воздействии радиационных излучений и сильнополевой инжекции электронов Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
2020 .- № 3 .- С. 53 - 57
Статья в журнале Андреев Дмитрий Владимирович МГТУ
Методика контроля изменения зарядового состояния МДП-структур при воздействии сильных электрических полей Наукоемкие технологии
2020 .- Т. 21 , № 6 .- С. 28 - 34
Статья в журнале Андреев Дмитрий Владимирович МГТУ
Бондаренко Г. Г.
Андреев Владимир Викторович МГТУ
Столяров Александр Алексеевич МГТУ
Повышение зарядовой стабильности подзатворного диэлектрика МДП-структур методом их легирования фосфором Перспективные материалы
2020 .- № 7 .- С. 68 - 74
Статья в журнале Andreev D. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Andreev V. V. МГТУ
Maslovsky V. M.
Stolyarov A. A. МГТУ
Charge Effects in the Dielectric Films of MIS Structures under the Concurrent Influence of Radiation and High-Field Electron Injection Journal of Surface Investigation
2020 .- Vol. 14 , Issue 2 .- С. 260 - 263
Статья в журнале Andreev D. V. МГТУ
Maslovsky V. M.
Levin M. N.
Andreev V. V. МГТУ
Murashev V. N.
Intrinsic gettering in silicon substrate of mos structures under combined influence of radiation and pulsed magnetic fields High Temperature Material Processes
2020 .- Vol. 24 , Issue 3 .- С. 183 - 191
Материал конференции Andreev D. V. МГТУ
Maslovsky V. M.
Andreev V. V. МГТУ
Stolyarov A. A. МГТУ
Study of charge processes in gate dielectrics of MOS structures under concurrent influence of high-field tunnel injection of electrons and ionization radiation AIP Conference Proceedings
2020 .- Vol. 2308 .- Art.no 040004
Статья в журнале Andreev D. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Andreev V. V. МГТУ
Stolyarov A. A. МГТУ
Use of high-field electron injection into dielectrics to enhance functional capabilities of radiation MOS sensors Sensors
2020 .- Vol. 20 , Issue 8 .- Art.no 2382
Статья в журнале Andreev V. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Andreev D. V. МГТУ
Stolyarov A. A. МГТУ
Use of MIS Sensors of Radiation in High-Field Electron Injection Modes Journal of Contemporary Physics
2020 .- Vol. 55 , Issue 2 .- С. 144 - 150
Материал конференции Shurygin A. МГТУ
Meleshchenko D. МГТУ
Masyuk V. M. МГТУ
Andreev D. V. МГТУ
Features of designing a dual-circuit control system robotic drive Smart Innovation, Systems and Technologies
2020 .- Vol. 154 .- С. 359 - 370
Статья в журнале Andreev D. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Andreev V. V. МГТУ
Maslovsky V. M.
Stolyarov A. A. МГТУ
Influence of temperature on highfield injection modification of MIS structures with thermal SiO2 films doped with phosphorus High Temperature Material Processes
2019 .- Vol. 23 , Issue 4 .- С. 303 - 312
Материал конференции Andreev D. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Andreev V. V. МГТУ
Maslovsky V. M.
Stolyarov A. A. МГТУ
Modification of MIS devices by radio-frequency plasma treatment Acta Physica Polonica A
2019 .- Vol. 136 , Issue 2 .- С. 263 - 266
Материал конференции Andreev D. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Andreev V. V. МГТУ
Stolyarov A. A. МГТУ
Simulation of charge processes in dielectric films of MIS structures at simultaneous influence by ionization and high-field injection of electrons Procedia Manufacturing
2019 .- Vol. 37 .- С. 279 - 285
Материал конференции Andreev D. V. МГТУ
Stolyarov A. A. МГТУ
Andreev V. V. МГТУ
Tsarkov A. V. МГТУ
Study of irreversible degradation processes in gate dielectric of MIS structures Journal of Physics: Conference Series
2019 .- Vol. 1348 , Issue 1 .- Art.no 012028
Материал конференции Andreev V. V. МГТУ
Maslovsky V. M.
Andreev D. V. МГТУ
Stolyarov A. A. МГТУ
Charge effects in dielectric films of MIS structures being under high-field injection of electrons at ionizing radiation Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
2019 .- Vol. 11022 .- Art.no 1102207
Материал конференции Volkov A. N.
Andreev D. V. МГТУ
Maslovsky V. M.
Formation of surface states in MOS devices by space radiation protons Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
2019 .- Vol. 11022 .- Art.no 1102208
Материал конференции Volkov A. N.
Andreev D. V. МГТУ
Maslovsky V. M.
Mechanisms of surface state formation at Si/Sio2 Interface in the Nanosized MOS Transistors Lecture Notes in Mechanical Engineering
2019 .- С. 353 - 360
Материал конференции Andreev D. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Andreev V. V. МГТУ
Stolyarov A. A. МГТУ
Investigation of injection-And radiation-thermal processes in thin gate dielectric films of MIS structures Key Engineering Materials
2018 .- Vol. 781 KEM .- С. 47 - 52