Куимов Евгений Владимирович
Тип публикации | Авторы | Заглавие | Издание, год, номер, страницы |
---|---|---|---|
Статья в журнале |
Vetrova N. A. МГТУ
Kuimov E. V. МГТУ Meshkov S. A. МГТУ Makeev M. O. МГТУ Sinyakin V. Yu . МГТУ Shashurin V. D. МГТУ |
A Compact Current-Transfer Model in Resonant-Tunneling Structures with Consideration of Interelectronic Interaction | Electronics |
Статья в журнале |
Vetrova N. A. МГТУ
Kuimov E. V. МГТУ Sinyakin V. Yu . МГТУ Meshkov S. A. МГТУ Makeev M. O. МГТУ Shashurin V. D. МГТУ |
Bistability of AlGaAs/GaAs Resonant-Tunneling Diodes Heterostructural Channel | Sensors |
Статья в журнале |
Vetrova N. A. МГТУ
Kuimov E. V. МГТУ Shashurin V. D. МГТУ Luneva L. A. МГТУ Meshkov S. A. МГТУ Makeev M. O. МГТУ Kozhukov A. S. |
Modeling of current-voltage characteristics of resonant tunneling structures for solving the problems of studying objective functions in the problems of synthesizing resonant tunneling diode | St. Petersburg Polytechnic University Journal. Physics and Mathematics |
Статья в журнале |
Шашурин Василий Дмитриевич МГТУ
Ветрова Наталия Алексеевна МГТУ Куимов Евгений Владимирович МГТУ Пчелинцев Кирилл Павлович МГТУ Александров А. С. МГТУ |
Топологически-ориентированный подход к выбору метода моделирования прозрачности гетероструктурных каналов наноэлектронных приборов | Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век |
Статья в журнале |
Kuimov E. V МГТУ
Vetrova N. A. МГТУ |
Forming a Portion of Negative Differential Conductivity in the I–V Characteristic of Resonant-Tunneling Structures | Journal of Surface Investigation |
Статья в журнале |
Ветрова Наталия Алексеевна МГТУ
Куимов Евгений Владимирович МГТУ Мешков Сергей Анатольевич МГТУ Шашурин Василий Дмитриевич МГТУ |
К вопросу о моделировании кинетики вах algaas-гетероструктур | Радиоэлектроника. Наносистемы. Информационные технологии |
Статья в журнале |
Шашурин Василий Дмитриевич МГТУ
Ветрова Наталия Алексеевна МГТУ Пчелинцев Кирилл Павлович МГТУ Куимов Евгений Владимирович МГТУ |
Выбор целевой функции для оптимизации радиоэлектронных изделий на многослойных наноразмерных algaas-гетероструктурах и устройств на их основе | Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век |
Статья в журнале |
Шашурин Василий Дмитриевич МГТУ
Ветрова Наталия Алексеевна МГТУ Пчелинцев Кирилл Павлович МГТУ Куимов Евгений Владимирович МГТУ Козий А. А. МГТУ |
Эффективный вычислительный алгоритм расчета электрических характеристик наноразмерных гетероструктур на основе формализма Ландауэра-Буттикера |
Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век
2019
.-
Т. 11
,
№ 1
.-
С.
34 - 43
|
Статья в журнале |
Ветрова Наталия Алексеевна МГТУ
Иванов Юрий Александрович МГТУ Куимов Евгений Владимирович МГТУ Макеев Мстислав Олегович МГТУ Мешков Сергей Анатольевич МГТУ Пчелинцев Кирилл Павлович МГТУ Шашурин Василий Дмитриевич МГТУ |
Моделирование токопереноса в AlAs/GaAs-гетероструктурах с учётом междолинного рассеяния |
Радиоэлектроника. Наносистемы. Информационные технологии
2018
.-
Т. 10
,
№ 1
.-
С.
71 - 76
|
Статья в журнале |
Шашурин Василий Дмитриевич МГТУ
Ветрова Наталия Алексеевна МГТУ Назаров Владимир Васильевич МГТУ Руденко Николай Романович МГТУ Куимов Евгений Владимирович МГТУ |
Учет диссипативных процессов в низкоразмерных структурах при моделировании функциональных характеристик устройств наноэлектроники |
Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век
2018
.-
Т. 10
,
№ 1
.-
С.
40 - 46
|