Столяров Александр Алексеевич, д.т.н., проф.

Тип публикации Авторы Заглавие Издание, год, номер, страницы
Материал конференции Andreev D. V. МГТУ
Maslovsky V. M.
Andreev V. V. МГТУ
Stolyarov A. A. МГТУ
Modification of Bounded J-Ramp Method to monitor reliability and charge degradation of gate dielectric of MIS devices Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
2022 .- Vol. 12157 .- Art.no 121571M
Статья в журнале Andreev D. V. МГТУ
Maslovsky V. M.
Andreev V. V. МГТУ
Stolyarov A. A. МГТУ
Modified Ramped Current Stress Technique for Monitoring Thin Dielectrics Reliability and Charge Degradation Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
2022 .- Vol. 219 , Issue 9 .- Art.no 2100400
Статья в журнале Andreev D. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Andreev V. V. МГТУ
Stolyarov A. A. МГТУ
Increasing the Charge Stability of Gate Dielectric Films of MIS Structures by Doping Them with Phosphorus Inorganic Materials: Applied Research
2021 .- Vol. 12 , Issue 2 .- С. 517 - 520
Материал конференции Andreev D. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Andreev V. V. МГТУ
Stolyarov A. A. МГТУ
Modeling of charge effects in dielectric films of radiation MOS sensors Journal of Physics: Conference Series
2021 .- Vol. 1740 , Issue 1 .- Art.no 012034
Статья в журнале Андреев Дмитрий Владимирович МГТУ
Бондаренко Г. Г.
Андреев Владимир Викторович МГТУ
Масловский В. М.
Столяров Александр Алексеевич МГТУ
Зарядовые явления в диэлектрических пленках МДП-структур при одновременном воздействии радиационных излучений и сильнополевой инжекции электронов Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
2020 .- № 3 .- С. 53 - 57
Статья в журнале Андреев Дмитрий Владимирович МГТУ
Бондаренко Г. Г.
Андреев Владимир Викторович МГТУ
Столяров Александр Алексеевич МГТУ
Повышение зарядовой стабильности подзатворного диэлектрика МДП-структур методом их легирования фосфором Перспективные материалы
2020 .- № 7 .- С. 68 - 74
Статья в журнале Бабкин С. И.
Волков С. И.
Глушко Андрей Александрович МГТУ
Морозов С. А.
Новоселов А. С.
Столяров Александр Алексеевич МГТУ
Высоковольтные LDMOS транзисторы на КНИ структуре для экстремальной электроники Микроэлектроника
2020 .- Т. 49 , № 4 .- С. 304 - 313
Статья в журнале Andreev D. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Andreev V. V. МГТУ
Maslovsky V. M.
Stolyarov A. A. МГТУ
Charge Effects in the Dielectric Films of MIS Structures under the Concurrent Influence of Radiation and High-Field Electron Injection Journal of Surface Investigation
2020 .- Vol. 14 , Issue 2 .- С. 260 - 263
Материал конференции Andreev D. V. МГТУ
Maslovsky V. M.
Andreev V. V. МГТУ
Stolyarov A. A. МГТУ
Study of charge processes in gate dielectrics of MOS structures under concurrent influence of high-field tunnel injection of electrons and ionization radiation AIP Conference Proceedings
2020 .- Vol. 2308 .- Art.no 040004
Статья в журнале Andreev D. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Andreev V. V. МГТУ
Stolyarov A. A. МГТУ
Use of high-field electron injection into dielectrics to enhance functional capabilities of radiation MOS sensors Sensors
2020 .- Vol. 20 , Issue 8 .- Art.no 2382
Статья в журнале Andreev V. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Andreev D. V. МГТУ
Stolyarov A. A. МГТУ
Use of MIS Sensors of Radiation in High-Field Electron Injection Modes Journal of Contemporary Physics
2020 .- Vol. 55 , Issue 2 .- С. 144 - 150
Статья в журнале Андреев Владимир Викторович МГТУ
Вовченко О. Н. МГТУ
Столяров Александр Алексеевич МГТУ
Исследование и оптимизация технологического процесса получения тонкопленочного МДП-конденсатора на основе пленок диоксида и нитрида кремния для интегральных микросхем Электронный журнал: наука, техника и образование
2019 .- № СВ1 (25) .- С. 79 - 86
Статья в журнале Andreev D. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Andreev V. V. МГТУ
Maslovsky V. M.
Stolyarov A. A. МГТУ
Influence of temperature on highfield injection modification of MIS structures with thermal SiO2 films doped with phosphorus High Temperature Material Processes
2019 .- Vol. 23 , Issue 4 .- С. 303 - 312
Материал конференции Andreev D. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Andreev V. V. МГТУ
Maslovsky V. M.
Stolyarov A. A. МГТУ
Modification of MIS devices by radio-frequency plasma treatment Acta Physica Polonica A
2019 .- Vol. 136 , Issue 2 .- С. 263 - 266
Материал конференции Andreev D. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Andreev V. V. МГТУ
Stolyarov A. A. МГТУ
Simulation of charge processes in dielectric films of MIS structures at simultaneous influence by ionization and high-field injection of electrons Procedia Manufacturing
2019 .- Vol. 37 .- С. 279 - 285
Материал конференции Andreev D. V. МГТУ
Stolyarov A. A. МГТУ
Andreev V. V. МГТУ
Tsarkov A. V. МГТУ
Study of irreversible degradation processes in gate dielectric of MIS structures Journal of Physics: Conference Series
2019 .- Vol. 1348 , Issue 1 .- Art.no 012028
Материал конференции Andreev V. V. МГТУ
Maslovsky V. M.
Andreev D. V. МГТУ
Stolyarov A. A. МГТУ
Charge effects in dielectric films of MIS structures being under high-field injection of electrons at ionizing radiation Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
2019 .- Vol. 11022 .- Art.no 1102207
Материал конференции Andreev D. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Andreev V. V. МГТУ
Stolyarov A. A. МГТУ
Automatized setup for researching of MIS structures under high-field tunnel injection of electrons at stress and measurement conditions Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies, MWENT 2018 - Proceedings
2018 .- Art.no 8337209
Материал конференции Andreev D. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Andreev V. V. МГТУ
Stolyarov A. A. МГТУ
Investigation of injection-And radiation-thermal processes in thin gate dielectric films of MIS structures Key Engineering Materials
2018 .- Vol. 781 KEM .- С. 47 - 52
Статья в журнале Столяров Александр Алексеевич МГТУ
Максимов Игорь Владимирович МГТУ
Андреев Владимир Викторович МГТУ
Защита микросхем изготовленных по кмоп- технологии от воздействия статического электричества Электронный журнал: наука, техника и образование
2017 .- № СВ1 (11) .- С. 200 - 205
Статья в журнале Andreev D. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Andreev V. V. МГТУ
Maslovsky V. M.
Stolyarov A. A. МГТУ
Modification of MIS devices by irradiation and high-field electron injection treatments Acta Physica Polonica A
2017 .- Vol. 132 , No 2 .- С. 245 - 248
Статья в журнале Andreev D. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Andreev V. V. МГТУ
Maslovsky V. M.
Stolyarov A. A. МГТУ
Modification of MIS structures with thermal SiO2films by phosphorus diffusion High Temperature Material Processes
2017 .- Vol. 21 , Issue 4 .- С. 299 - 307
Статья в журнале Андреев Владимир Викторович МГТУ
Романов Андрей Владимирович МГТУ
Столяров Александр Алексеевич МГТУ
Ахмелкин Дмитрий Михайлович МГТУ
Контроль радиационных излучений сенсорами на основе МДП-структур Электромагнитные волны и электронные системы
2016 .- Т. 21 , № 8 .- С. 16 - 20
Статья в журнале Андреев Дмитрий Владимирович МГТУ
Бондаренко Г. Г.
Столяров Александр Алексеевич МГТУ
Модификация МДП-структур в процессе электронного облучения и инжекции электронов в сильных электрических полях Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
2016 .- № 4 .- С. 94 - 99
Статья в журнале Столяров Александр Алексеевич МГТУ
Научная школа Калужского филиала МГТУ им. Н.Э. Баумана «Физика материалов для электронных систем» Электромагнитные волны и электронные системы
2016 .- Т. 21 , № 8 .- С. 5 - 9
Статья в журнале Andreev D. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Stolyarov A. A. МГТУ
Charge characteristics of MOS structure with thermal SiO2 films doped with phosphorus under high-field electron injection Inorganic Materials: Applied Research
2016 .- Vol. 7 , Issue 2 .- С. 187 - 191
Статья в журнале Andreev D. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Stolyarov A. A. МГТУ
Modification of MIS structures by electron irradiation and high-field electron injection Journal of Surface Investigation
2016 .- Vol. 10 , Issue 2 .- С. 450 - 454
Статья в журнале Андреев Дмитрий Владимирович МГТУ
Бондаренко Г. Г.
Столяров Александр Алексеевич МГТУ
Зарядовые характеристики МДП-структур с термическими пленками SiO2, легированными фосфором, при воздействии сильнополевой инжекцией электронов Перспективные материалы
2015 .- № 11 .- С. 19 - 25
Статья в журнале Andreev V. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Maslovsky V. M.
Stolyarov A. A. МГТУ
Andreev D. V. МГТУ
Control current stress technique for the investigation of gate dielectrics of MIS devices Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
2015 .- Vol. 12 , Issue 3 .- С. 299 - 303
Статья в журнале Andreev V. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Maslovsky V. M.
Stolyarov A. A. МГТУ
Andreev D. V. МГТУ
Modification and reduction of defects in thin gate dielectric of MIS devices by injection-thermal and irradiation treatments Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
2015 .- Vol. 12 , Issue 1-2 .- С. 126 - 130
Статья в журнале Andreev V. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Stolyarov A. A. МГТУ
Akhmelkin D. M. МГТУ
Modification of dielectric films in MIS structures using the injection-thermal treatment Inorganic Materials: Applied Research
2015 .- Vol. 6 , Issue 2 .- С. 128 - 132
Статья в журнале Andreev V. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Maslovsky V. M.
Stolyarov A. A. МГТУ
Modification of MOS Devices by High-Field Electron Injection and Arc Plasma Jet Treatment Acta Physica Polonica A
2015 .- Vol. 128 , No 5 .- С. 887 - 890
Статья в журнале Андреев Владимир Викторович МГТУ
Масловский В. М.
Сафонов А. Г.
Столяров Александр Алексеевич МГТУ
Модификация диэлектрических пленок МДП-приборов Электроника: наука, технология, бизнес
2014 .- № S (137) .- С. 169 - 176
Статья в журнале Андреев Владимир Викторович МГТУ
Бондаренко Г. Г.
Столяров Александр Алексеевич МГТУ
Ахмелкин Д. М. МГТУ
Модификация диэлектрических пленок МДП-структур инжекционно-термической обработки Перспективные материалы
2014 .- № 12 .- С. 25 - 31
Статья в журнале Андреев Владимир Викторович МГТУ
Столяров Александр Алексеевич МГТУ
Соловьев И. В. МГТУ
Установка измерения поглощенной дозы радиационного излучения на основе транзисторных сенсоров со структурой металл — диэлектрик — полупроводник Инженерный журнал: наука и инновации
Статья в журнале Andreev V. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Stolyarov A. A. МГТУ
Korotkov S. I МГТУ
Injection modification of multilayer dielectric layers of metal-oxide-semiconductor structures at different temperatures Inorganic Materials: Applied Research
2014 .- Vol. 5 , Issue 2 .- С. 129 - 132
Статья в журнале Andreev V. V. МГТУ
Bondarenko G. G.
Maslovsky V. M.
Stolyarov A. A. МГТУ
Modification of gate dielectric in MOS devices by injection-thermal and plasma treatments Acta Physica Polonica A
2014 .- Vol. 125 , Issue 6 .- С. 1371 - 1373
Статья в журнале Андреев Владимир Викторович МГТУ
Бондаренко Г. Г.
Столяров Александр Алексеевич МГТУ
Коротков С. И. МГТУ
Инжекционная модификация многослойных диэлектрических слоев структурметалл – диэлектрик – полупроводник при различных температурах Перспективные материалы
2013 .- № 7 .- С. 31 - 36
Статья в журнале Андреев Владимир Викторович МГТУ
Столяров Александр Алексеевич МГТУ
Ахмелкин Д. М. МГТУ
Романов А. В. МГТУ
Сильнополевая инжекционная модификация наноразмерных диэлектрических пленок в МДП-приборах Инженерный журнал: наука и инновации
Статья в журнале Андреев Владимир Викторович МГТУ
Столяров Александр Алексеевич МГТУ
Дмитриев В. Г. МГТУ
Романов А. В. МГТУ
Инжекционные методы контроля подзатворного диэлектрика МДП-ИМС Наукоемкие технологии
2012 .- Т. 13 , № 10 .- С. 20 - 28
Статья в журнале Андреев Владимир Викторович МГТУ
Столяров Александр Алексеевич МГТУ
Васютин М. С. МГТУ
Бондаренко Г. Г.
Моделирование воздействия ионизирующих излучений на МДП структуры с наноразмерными диэлектрическими пленками Физика и химия обработки материалов
2011 .- № 5 .- С. 5 - 9