Личный кабинет
32 записи
Автореферат диссертации
Одиноков В. В.
Основы расчета параметров и создание автоматизированного многокамерного вакуумного оборудования непрерывного действия с магнетронными системами распыления для производства СБИС : 05.13.07 : 05.27.07 : автореф. дис... дтн / Одиноков В. В. ; НИИТМ. - Москва, 1995. - 32 с.
Основы расчета параметров и создание автоматизированного многокамерного вакуумного оборудования непрерывного действия с магнетронными системами распыления для производства СБИС : 05.13.07 : 05.27.07 : автореф. дис... дтн / Одиноков В. В. ; НИИТМ. - Москва, 1995. - 32 с.
1 экз.
Диссертация
Одиноков В. В.
Основы расчета параметров и создание автоматизированного многокамерного вакуумного оборудования непрерывного действия с магнетронными системами распыления для производства СБИС : 05.13.07 : 05.27.07 : дис... дтн / Одиноков В. В. ; НИИ точн. машиностроения. - Москва, 1995. - 32 л. - Библиогр.:л.30-32 .
Основы расчета параметров и создание автоматизированного многокамерного вакуумного оборудования непрерывного действия с магнетронными системами распыления для производства СБИС : 05.13.07 : 05.27.07 : дис... дтн / Одиноков В. В. ; НИИ точн. машиностроения. - Москва, 1995. - 32 л. - Библиогр.:
1 экз.
Автореферат диссертации
Шупенев А. Е.
Разработка технологии создания высокоэффективных тонкопленочных термоэлектрических материалов методом импульсного лазерного осаждения : автореф. дис... ктн : 05.02.07 : 05.27.06 / Шупенев А. Е. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2017. - 16 с.
Разработка технологии создания высокоэффективных тонкопленочных термоэлектрических материалов методом импульсного лазерного осаждения : автореф. дис... ктн : 05.02.07 : 05.27.06 / Шупенев А. Е. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2017. - 16 с.
Читать онлайн
2 экз.
Диссертация
Шупенев А. Е.
Разработка технологии создания высокоэффективных тонкопленочных термоэлектрических материалов методом импульсного лазерного осаждения : дис... ктн : 05.02.07 : 05.27.06 / Шупенев А. Е. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2017. - 131 л. : ил. - Библиогр.:л.113-123 .
Разработка технологии создания высокоэффективных тонкопленочных термоэлектрических материалов методом импульсного лазерного осаждения : дис... ктн : 05.02.07 : 05.27.06 / Шупенев А. Е. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2017. - 131 л. : ил. - Библиогр.:
1 экз.
Диссертация
Ибрагимов А. Р.
Физико-технологические основы управляемого формирования фотонно-кристаллических отражающих слоёв фотонно-плазмонных систем : 2.2.3 Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Ибрагимов А. Р. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2025. - 166 л. : ил. - Библиогр.:л.147-166 .
Физико-технологические основы управляемого формирования фотонно-кристаллических отражающих слоёв фотонно-плазмонных систем : 2.2.3 Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Ибрагимов А. Р. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2025. - 166 л. : ил. - Библиогр.:
1 экз.
Автореферат диссертации
Ибрагимов А. Р.
Физико-технологические основы управляемого формирования фотонно-кристаллических отражающих слоёв фотонно-плазмонных систем : 2.2.3 Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Ибрагимов А. Р. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2025. - 16 с. : ил. - Библиогр.:с.16 .
Физико-технологические основы управляемого формирования фотонно-кристаллических отражающих слоёв фотонно-плазмонных систем : 2.2.3 Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Ибрагимов А. Р. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2025. - 16 с. : ил. - Библиогр.:
2 экз.
Автореферат диссертации
Пандас А. М.
Наноструктурированные анодные оксидные плёнки на ниобии и титане : 1.3.8 Физика конденсированного состояния : автореф. дис... ктн / Пандас А. М. ; Петрозаводский государственный университет. - Москва, 2026. - 17 с. : ил. - Библиогр.:с.16-17 .
Наноструктурированные анодные оксидные плёнки на ниобии и титане : 1.3.8 Физика конденсированного состояния : автореф. дис... ктн / Пандас А. М. ; Петрозаводский государственный университет. - Москва, 2026. - 17 с. : ил. - Библиогр.:
2 экз.
Диссертация
Пандас А. М.
Наноструктурированные анодные оксидные плёнки на ниобии и титане : 1.3.8 Физика конденсированного состояния : дис... ктн / Пандас А. М. ; Петрозаводский государственный университет. - Петрозаводск, 2025. - 205 л. : ил. - Библиогр.:л.168-189 .
Наноструктурированные анодные оксидные плёнки на ниобии и титане : 1.3.8 Физика конденсированного состояния : дис... ктн / Пандас А. М. ; Петрозаводский государственный университет. - Петрозаводск, 2025. - 205 л. : ил. - Библиогр.:
1 экз.
Автореферат диссертации
Дюбанов В. А.
Физико-химические основы процесса электрофоретического осаждения фотонно-кристаллических сверхрешёток для изделий оптоэлектроники : 2.2.3 Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Дюбанов В. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2025. - 17 с. : ил. - Библиогр.:с.17 .
Физико-химические основы процесса электрофоретического осаждения фотонно-кристаллических сверхрешёток для изделий оптоэлектроники : 2.2.3 Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Дюбанов В. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2025. - 17 с. : ил. - Библиогр.:
2 экз.
Диссертация
Дюбанов В. А.
Физико-химические основы процесса электрофоретического осаждения фотонно-кристаллических сверхрешёток для изделий оптоэлектроники : 2.2.3 Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Дюбанов В. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2025. - 194 л. : ил. - Библиогр.:л.178-194 .
Физико-химические основы процесса электрофоретического осаждения фотонно-кристаллических сверхрешёток для изделий оптоэлектроники : 2.2.3 Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Дюбанов В. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2025. - 194 л. : ил. - Библиогр.:
1 экз.
