Расширенный поиск

Лучников А. П.
   Диэлектрические текстуры на основе поливинилхлорида, наполненного сегнетокерамикой / Лучников А. П. // Наукоемкие технологии. - 2008. - Т. 9, № 2. - С. 16-21.

Лучников А. П., Лучников П. А., Сигов А. С.
   Микроструктура и электрофизические свойства вакуумных фторполимерных пленок для МЭМС и наноэлектроники / Лучников А. П., Лучников П. А., Сигов А. С. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 12. - С. 34-40.

Мавлонов Ш.
   Физикохимия сегрегационных явлений при кристаллизации полупроводников : монография / Мавлонов Ш. ; Физико-технический институт им. С. У. Умарова Академии наук Таджикской ССР ; отв. ред. Кариева Р. А. - Душанбе : Дониш, 1990. - 154 с. : ил. - Библиогр.: с.138-154. - ISBN 5-8366-0095-3.

Мадаминов Х. М.
   Влияние инжекционных эффектов на электрические свойства гетеропереходов pSi–nSi1–xSnx / Мадаминов Х. М. - DOI 10.18698/1812-3368-2021-2-71-84 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2021. - № 2. - С. 71-84.

Мадаминов Х. М.
   Влияние рекомбинационных процессов на температурную зависимость вольт-амперных характеристик структур pSi–n(Si2)1 – х(CdS) х / Мадаминов Х. М. // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2025. - № 2. - С. 35-51.

Макеев М. О., Мешков С. А., Иванов Ю. А.
   Исследования коэффициентов диффузии Al и Si в AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктурах / Макеев М. О., Мешков С. А., Иванов Ю. А. // Нано- и микросистемная техника. - 2016. - Т. 18, № 8. - С. 493-503.

Марахтанов М. К., Марахтанов А. М.
   Неожиданные квантовые явления в известных электрических процессах. Опыт и теория / Марахтанов М. К., Марахтанов А. М. - Москва : URSS : КРАСАНД, 2010. - 310 с. : ил. - (Relata Refero). - Библиогр.: c.9-10, в конце гл. - ISBN 978-5-396-00120-6.

Марин В. П., Сидорова А. В.
   Нетрадиционная электроэнергетика - шаг к технологиям будущего / Марин В. П., Сидорова А. В. // Наукоемкие технологии. - 2012. - Т. 13, № 10. - С. 10-19.

Масленникова Г. Н., Харитонов Ф. Я.
   Электрокерамика, стойкая к термоударам / Масленникова Г. Н., Харитонов Ф. Я. - Москва : Энергия, 1977. - 191 с. : рис., табл. - Библиогр.: с.176-191.

   Математическая модель влияния варизонности на профиль концентрации носителей полупроводниковых структур / Байбурин В. Б., Кузнецов В. А., Чернышев С. Л., Шмаков С. Л. // Радиотехника. - 2018. - № 9. - С. 87-92.