540 записей
Красников Г. Я.
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов / Красников Г. Я. - 2-е изд., испр. - М. : Техносфера, 2011. - 799 с. : ил. - (Мир электроники). - Библиогр.в конце гл. - ISBN 978-5-94836-289-2 .
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов / Красников Г. Я. - 2-е изд., испр. - М. : Техносфера, 2011. - 799 с. : ил. - (Мир электроники). - Библиогр.
Статья
Красников Г. Я., Орлов О. М.
Отличительные особенности и проблемы КМОП-технологии при уменьшении проектной нормы до уровня 0, 18 мкм и меньше / Красников Г. Я., Орлов О. М. // Российские нанотехнологии. - 2008. - Т. 3, № 7-8. -С. 124-128 .
Отличительные особенности и проблемы КМОП-технологии при уменьшении проектной нормы до уровня 0, 18 мкм и меньше / Красников Г. Я., Орлов О. М. // Российские нанотехнологии. - 2008. - Т. 3, № 7-8. -
Кроуфорд Р.
Схемные применения МОП-транзисторов : [монография] / Кроуфорд Р. ; ред. пер. с англ. Сонин М. С. - М. : Мир, 1970. - 191 с. : ил.
Схемные применения МОП-транзисторов : [монография] / Кроуфорд Р. ; ред. пер. с англ. Сонин М. С. - М. : Мир, 1970. - 191 с. : ил.
Кувшинов А. А.
Синтез интеллектуальных систем электропитания в элементном базисе универсальных и силовых реляторов : монография / Кувшинов А. А. ; Тольяттинский гос. ин-т сервиса. - М. : Радио и связь, 2003. - 138 с. - Библиогр.:с. 129-138 . - ISBN 5-256-01684-9 .
Синтез интеллектуальных систем электропитания в элементном базисе универсальных и силовых реляторов : монография / Кувшинов А. А. ; Тольяттинский гос. ин-т сервиса. - М. : Радио и связь, 2003. - 138 с. - Библиогр.:
Статья
Кузин А. П.
Влияние точности конструкционных параметров на частоту настройки резонансного элемента СВЧ / Кузин А. П. // Технология ЭВА : сборник статей / ред. Сыроватченко П. В. ; МВТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 1978. - (Труды / МВТУ им. Н. Э. Баумана ; № 286). -С. 18-28 .
Влияние точности конструкционных параметров на частоту настройки резонансного элемента СВЧ / Кузин А. П. // Технология ЭВА : сборник статей / ред. Сыроватченко П. В. ; МВТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 1978. - (Труды / МВТУ им. Н. Э. Баумана ; № 286). -
Статья
Кузнецов В. В., Кечиев Л. Н.
Методика расчета порога отказа МОП-транзисторов при электростатическом разряде / Кузнецов В. В., Кечиев Л. Н. // Наукоемкие технологии в приборо- и машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе : материалы Всероссийской научно-технической конференции / МГТУ им. Н. Э. Баумана, Калужский филиал, Калужский государственный университет им. К. Э. Циолковского. - 2013. - Т. 1. -С. 120-123 .
Методика расчета порога отказа МОП-транзисторов при электростатическом разряде / Кузнецов В. В., Кечиев Л. Н. // Наукоемкие технологии в приборо- и машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе : материалы Всероссийской научно-технической конференции / МГТУ им. Н. Э. Баумана, Калужский филиал, Калужский государственный университет им. К. Э. Циолковского. - 2013. - Т. 1. -
Статья
Кузнецов В. В.
Новое поколение САПР для схемотехнического моделирования с открытым исходным кодом Qucs-S / Кузнецов В. В. // Технологии разработки и отладки сложных технических систем : материалы 9-ой Всероссийской научно-практическойя конференции, Москва, 5-6 апреля 2023 года : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет), Центр инженерных технологий и моделирования "Экспонента". - 2024. - Т. 1. -С. 334-339 .
Новое поколение САПР для схемотехнического моделирования с открытым исходным кодом Qucs-S / Кузнецов В. В. // Технологии разработки и отладки сложных технических систем : материалы 9-ой Всероссийской научно-практическойя конференции, Москва, 5-6 апреля 2023 года : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет), Центр инженерных технологий и моделирования "Экспонента". - 2024. - Т. 1. -
Статья
Куимов Е. В., Ветрова Н. А.
Компактная модель токопереноса с учетом диссипативных процессов и резонансного туннелирования в гетероструктурном канале диода для ecad наноэлектронной компонентной базы / Куимов Е. В., Ветрова Н. А. // Нанотехнологии. Разработка. Применение. ХХ1 век. - 2024. - Т. 16, № 4. -С. 16-20 .
Компактная модель токопереноса с учетом диссипативных процессов и резонансного туннелирования в гетероструктурном канале диода для ecad наноэлектронной компонентной базы / Куимов Е. В., Ветрова Н. А. // Нанотехнологии. Разработка. Применение. ХХ1 век. - 2024. - Т. 16, № 4. -
Кукелов Г. А., Васерина К. Н., Лунин В. П.
Полупроводниковые электрические аппараты : учебное пособие для вузов / Кукелов Г. А., Васерина К. Н., Лунин В. П. - Л. : Энергоатомиздат, Ленинградское отделение, 1991. - 255 с. : ил. - Библиогр.:с. 250-252 . - ISBN 5-28304492-0 .
Полупроводниковые электрические аппараты : учебное пособие для вузов / Кукелов Г. А., Васерина К. Н., Лунин В. П. - Л. : Энергоатомиздат, Ленинградское отделение, 1991. - 255 с. : ил. - Библиогр.: