1689 записей
Статья
Гудков А. Г., Кирпиченков А. И., Козлов П. С.
Прогнозирование качества и надежности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 29. Основные тенденции развития малошумящих усилителей СВЧ. / Гудков А. Г., Кирпиченков А. И., Козлов П. С. // Машиностроитель. - 2012. - № 7. -С. 13-17 .
Прогнозирование качества и надежности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 29. Основные тенденции развития малошумящих усилителей СВЧ. / Гудков А. Г., Кирпиченков А. И., Козлов П. С. // Машиностроитель. - 2012. - № 7. -
Статья
Гудков А. Г., Кирпиченков А. И., Козлов П. С.
Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 33. Конструктивно-технологические варианты построения МШУ / Гудков А. Г., Кирпиченков А. И., Козлов П. С. // Машиностроитель. - 2012. - № 12. -С. 25-32 .
Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 33. Конструктивно-технологические варианты построения МШУ / Гудков А. Г., Кирпиченков А. И., Козлов П. С. // Машиностроитель. - 2012. - № 12. -
Статья
Гудков А. Г., Кирпиченков А. И., Козлов П. С.
Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 32. Схемотехнические варианты построения транзисторных МШУ. / Гудков А. Г., Кирпиченков А. И., Козлов П. С. // Машиностроитель. - 2012. - № 11. -С. 20-26 .
Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 32. Схемотехнические варианты построения транзисторных МШУ. / Гудков А. Г., Кирпиченков А. И., Козлов П. С. // Машиностроитель. - 2012. - № 11. -
Статья
Гудков А. Г., Попов В. В.
Оптимальное проектирование с учетом технологических факторов дискретных ГИС и МИС фазовращателей / Гудков А. Г., Попов В. В. // Машиностроитель. - 2015. - № 5. -С. 33-42 .
Оптимальное проектирование с учетом технологических факторов дискретных ГИС и МИС фазовращателей / Гудков А. Г., Попов В. В. // Машиностроитель. - 2015. - № 5. -
Статья
Гудков А. Г., Попов В. В.
Оптимальное проектирование с учетом технологических факторов ГИС и МИС дискретных аттенюаторов / Гудков А. Г., Попов В. В. // Машиностроитель. - 2015. - № 6. -С. 19-26 .
Оптимальное проектирование с учетом технологических факторов ГИС и МИС дискретных аттенюаторов / Гудков А. Г., Попов В. В. // Машиностроитель. - 2015. - № 6. -
Гудков А. Г., Попов В. В.
Повышение надежности и качества ГИС и МИС СВЧ / Гудков А. Г., Попов В. В. - М. : ООО "Автотест", 2012.
Кн. 1. - 2012. - 221 с. : ил. - Библиогр.в конце гл. - ISBN 978-5-9903751-1-6 .
Повышение надежности и качества ГИС и МИС СВЧ / Гудков А. Г., Попов В. В. - М. : ООО "Автотест", 2012.
Кн. 1. - 2012. - 221 с. : ил. - Библиогр.
Статья
Гудков А. Г., Попов В. В.
Прогнозирование качества и надёжности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 46. Транзисторы GaN с длиной затвора 0, 5 мкм и периферией 500 мкм и 1500 мкм / Гудков А. Г., Попов В. В. // Машиностроитель. - 2014. - № 1. -С. 42-44 .
Прогнозирование качества и надёжности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 46. Транзисторы GaN с длиной затвора 0, 5 мкм и периферией 500 мкм и 1500 мкм / Гудков А. Г., Попов В. В. // Машиностроитель. - 2014. - № 1. -
Статья
Гудков А. Г., Попов В. В.
Технологическая оптимизация ГИС и МИС дискретных аттенюаторов / Гудков А. Г., Попов В. В. // Электромагнитные волны и электронные системы. - 2012. - Т. 17, № 11. -С. 42-47 .
Технологическая оптимизация ГИС и МИС дискретных аттенюаторов / Гудков А. Г., Попов В. В. // Электромагнитные волны и электронные системы. - 2012. - Т. 17, № 11. -
Статья
Гудков А. Г., Тихомиров В. Г., Чижиков С. В.
Гетероструктурный транзистор для энергоэффективного малошумящего усилителя радиотермографа на основе монолитных интегральных схем / Гудков А. Г., Тихомиров В. Г., Чижиков С. В. // Радиотехника. - 2023. - Т. 87, № 3. -С. 166-173 .
Гетероструктурный транзистор для энергоэффективного малошумящего усилителя радиотермографа на основе монолитных интегральных схем / Гудков А. Г., Тихомиров В. Г., Чижиков С. В. // Радиотехника. - 2023. - Т. 87, № 3. -
