Личный кабинет
83 записи
Козловский В. В.
Модифицирование полупроводников пучками протонов / Козловский В. В. ; отв. ред. Малкович Р. Ш. - СПб. : Наука, 2003. - 267 с. : ил. - Библиогр.в конце гл. - ISBN 5-02-024988-2 .
Модифицирование полупроводников пучками протонов / Козловский В. В. ; отв. ред. Малкович Р. Ш. - СПб. : Наука, 2003. - 267 с. : ил. - Библиогр.
5 экз.
Статья
Колбун Н. В., Пулко Т. А., Лынрьков Л. М.
Стабильность экранирующих электромагнитное излучение влагосодержащих материалов в условиях развития микроорганизмов / Колбун Н. В., Пулко Т. А., Лынрьков Л. М. // Биомедицинская радиоэлектроника. - 2009. - № 1. -С. 64-70 .
Стабильность экранирующих электромагнитное излучение влагосодержащих материалов в условиях развития микроорганизмов / Колбун Н. В., Пулко Т. А., Лынрьков Л. М. // Биомедицинская радиоэлектроника. - 2009. - № 1. -
Статья
Контроль параметров дискретных слоистых наноразмерных структур / Апрелов С. А., Турьянский А. Г., Герасименко Н. Н., Пиршин И. В., Сенков В. М. // Российские нанотехнологии. - 2007. - Т. 2, № 3-4. - С. 130-133 .
Кравченко А. Ф., Овсюк В. Н.
Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности / Кравченко А. Ф., Овсюк В. Н. - Новосибирск : Изд-во Новосибирского ун-та, 2000. - 447 с. : ил. - Библиогр.:с. 433-447 . - ISBN 5-7615-0498-7 .
Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности / Кравченко А. Ф., Овсюк В. Н. - Новосибирск : Изд-во Новосибирского ун-та, 2000. - 447 с. : ил. - Библиогр.:
3 экз.
Куэй Р.
Электроника на основе нитрида галлия / Куэй Р. ; пер. с англ. Концевой Ю. А., Митрофанов Е. А. ; ред. пер. Васильев А. Г. - М. : ТЕХНОСФЕРА, 2011. - 587 с. : ил. - (Мир радиоэлектроники). - Библиогр.в конце гл. - ISBN 978-5-94836-296-0 .
Электроника на основе нитрида галлия / Куэй Р. ; пер. с англ. Концевой Ю. А., Митрофанов Е. А. ; ред. пер. Васильев А. Г. - М. : ТЕХНОСФЕРА, 2011. - 587 с. : ил. - (Мир радиоэлектроники). - Библиогр.
1 экз.
Статья
Макеев М. О., Мешков С. А., Иванов Ю. А.
Исследования коэффициентов диффузии Al и Si в AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктурах / Макеев М. О., Мешков С. А., Иванов Ю. А. // Нано- и микросистемная техника. - 2016. - Т. 18, № 8. -С. 493-503 .
Исследования коэффициентов диффузии Al и Si в AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктурах / Макеев М. О., Мешков С. А., Иванов Ю. А. // Нано- и микросистемная техника. - 2016. - Т. 18, № 8. -
Марахтанов М. К., Марахтанов А. М.
Неожиданные квантовые явления в известных электрических процессах. Опыт и теория / Марахтанов М. К., Марахтанов А. М. - М. : URSS : КРАСАНД, 2010. - 310 с. : ил. - (Relata Refero). - Библиогр.:c. 9-10, в конце гл. - ISBN 978-5-396-00120-6 .
Неожиданные квантовые явления в известных электрических процессах. Опыт и теория / Марахтанов М. К., Марахтанов А. М. - М. : URSS : КРАСАНД, 2010. - 310 с. : ил. - (Relata Refero). - Библиогр.:
1 экз.
Статья
Марин В. П., Сидорова А. В.
Нетрадиционная электроэнергетика - шаг к технологиям будущего / Марин В. П., Сидорова А. В. // Наукоемкие технологии. - 2012. - Т. 13, № 10. -С. 10-19 .
Нетрадиционная электроэнергетика - шаг к технологиям будущего / Марин В. П., Сидорова А. В. // Наукоемкие технологии. - 2012. - Т. 13, № 10. -
Статья
Математическая модель влияния варизонности на профиль концентрации носителей полупроводниковых структур / Байбурин В. Б., Кузнецов В. А., Чернышев С. Л., Шмаков С. Л. // Радиотехника. - 2018. - № 9. - С. 87-92 .
Материалы современной электроники и спинтроники : монография / Стародуб В. А., Стародуб Т. Н., Кажева О. Н., Брегадзе В. И. - М. : Физматлит, 2019. - 422 с., [8] л. рис. : рис., табл. - Библиогр. в конце глав, разделов . - ISBN 978-5-9221-1825-5 .
1 экз.
