Расширенный поиск

Буробин В. А., Коновалов А. М., Волошин А. Ю.
   Транзисторы на основе гетероструктур GaN/ALGan для оборудования WiMAX / Буробин В. А., Коновалов А. М., Волошин А. Ю. // Наукоемкие технологии. - 2010. - Т. 11, № 7. - С. 39-43.

Денисенко В. В.
   Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлетронике : [монография] / Денисенко В. В. - М. : Физматлит, 2010. - 407 с. : ил. - Библиогр.: с. 372-401. - ISBN 978-5-9221-1200-0.

Захаров А. Г., Котов В. Н., Богданов С. А.
   Моделирование распределения потенциала в барьерах Шоттки транзистора с металлической базой / Захаров А. Г., Котов В. Н., Богданов С. А. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 4. - С. 45-47.

Ильченко Г. П.
   Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с распределенным p+ - n- переходом : монография / Ильченко Г. П. ; Кубанский гос. ун-т. - Краснодар : Кубанский гос. ун-т, 2013. - 159 с. : ил. - Библиогр.: с. 152-157. - ISBN 978-5-8209-0964-1.

Красников Г. Я.
   Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов / Красников Г. Я. - 2-е изд., испр. - М. : ТЕХНОСФЕРА, 2011. - 799 с. : ил. - (Мир электроники). - Библиогр. в конце гл. - ISBN 978-5-94836-289-2.

   Увеличение стойкости GaN HEMT к возникновению повышенной температуры / Видякин С. И., Вьюгинов В. Н., Тихомиров В. Г., Добров В. А., Шашурин В. Д., Чижиков С. В. // Нанотехнологии. Разработка. Применение. ХХ1 век. - 2017. - Т. 9, № 2. - С. 19-21.