Подробное описание документа

   Формирование монокристаллических пленок алюминия на базе SCULL-технологии / Андрощук М. В., Москалев Д. О., Коршаков Н. Д., Константинова Т. Г., Сорокина О. С., Фокин Д. А., Бабурин А. С., Панфилов Ю. В., Рыжиков И. А., Родионов И. А. // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2024. - № 5. - С. 56-70.

Представлены результаты комплексного исследования островковой стадии роста тонких алюминиевых пленок, необходимой для формирования затравочного слоя и основанной на нем сплошной монокристаллической тонкой пленки на базе SCULL-технологии. Проведено исследование влияния параметров процесса электронно-лучевого испарения - температуры подложки в процессе роста тонкой пленки 200...500 °С, толщины затравочного слоя 3...5 нм - на латеральный размер островков. Экспериментальные образцы исследованы методами сканирующей электронной микроскопии, дифракции обратно-отраженных электронов, дифракции рентгеновских лучей и атомно-силовой микроскопии. В результате исследований получена зависимость изменения характера роста затравочного слоя алюминиевой тонкой пленки от параметров процесса осаждения. Разработанная технология формирования затравочного слоя на согласованной с алюминием по постоянной решетке кремниевой подложке Si(111) позволила получить на его основе сплошную пленку алюминия с монокристаллической структурой, толщина которой составляет 35 нм. Среднеквадратичная шероховатость пленки менее 0,4 нм, FWHM = 0,453°
Экспериментальные образцы и технология разработаны в технологическом центре МГТУ им. Н.Э. Баумана (НОЦ "Функциональные микро/наносистемы", ID 74300). Работа выполнена с использованием атомно-силового микроскопа Dimension Icon, входящего в состав уникальной научной установки "Авогадро" (http://avo.ibmc.msk.ru/)
Ключевые слова алюминиевая тонкая пленка, электронно-лучевое испарение, SCULL-технология, монокристаллическая пленка, полимерная мембрана "Нафион", диффузия, метиленовый синий, аскорбиновая кислота, спектрометрия, изотопный состав