Личный кабинет
603 записи
Московский энерг. ин-т.
Труды. - Москва : Изд-во МЭИ, 1959. -ISSN 0371-9545 . - ISSN 0234-9124 .
Вып. 219 : Физика и технология полупроводниковых приборов : тематический сборник / ред. Шалимова К. В. - 1975. - 149 с. : рис., табл. - Библиогр.в конце ст.
Труды. - Москва : Изд-во МЭИ, 1959. -
Вып. 219 : Физика и технология полупроводниковых приборов : тематический сборник / ред. Шалимова К. В. - 1975. - 149 с. : рис., табл. - Библиогр.
1 экз.
Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, ТV-приемников и мониторов : справочник / сост. Авраменко Ю. Ф. - Москва : Додэка-ХХI ; Киев : МК-Пресс, 2006. - 538 с. - (Элементарная база). - ISBN 5-94120-126-5 . - ISBN 966-8806-17-4 .
1 экз.
Мощные транзисторные устройства повышенной частоты / Алексанян А. А., Бальян Р. Х., Сиверс М. А. [и др.]. - Ленинград : Энергоатомиздат, Ленингр. отд-ние, 1989. - 174 с. : рис. - Библиогр.: с.171-173 . - ISBN 5-283-04411-4 .
3 экз.
Мощные транзисторы для телевизоров и мониторов : справочник. - Санкт-Петербург : Наука и техника, 2005. - 444 с. - (Электронные компоненты). - ISBN 5-94387-184-5 .
2 экз.
Статья в журнале
Мустафаев А. Г.
Конструктивные и технологические способы улучшения параметров КНИ-МОП-транзисторов / Мустафаев А. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 6. -С. 37-42 .
Конструктивные и технологические способы улучшения параметров КНИ-МОП-транзисторов / Мустафаев А. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 6. -
Статья в журнале
Мустафаев А. Г.
Технология формирования кремниевых пластин со скрытым слоем / Мустафаев А. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 10. -С. 11-14 .
Технология формирования кремниевых пластин со скрытым слоем / Мустафаев А. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 10. -
Статья в журнале
Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г.
Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы, изготовленные по КНС-технологии / Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2008. - № 9. -С. 44-46 .
Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы, изготовленные по КНС-технологии / Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2008. - № 9. -
Статья в журнале
Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г.
Проблемы масштабирования затворного диэлектрика для МОП-технологии / Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2008. - № 4. -С. 17-22 .
Проблемы масштабирования затворного диэлектрика для МОП-технологии / Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2008. - № 4. -
Статья в журнале
Мустафаев Г. А., Мустафаев А. Г.
Разработка процесса формирования глубокой изоляции структур кремний на изоляторе / Мустафаев Г. А., Мустафаев А. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - № 1. -С. 30-32 .
Разработка процесса формирования глубокой изоляции структур кремний на изоляторе / Мустафаев Г. А., Мустафаев А. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - № 1. -
Статья в журнале
Мустафаев Г. А., Мустафаев Аб. Г., Мустафаев Ар. Г.
Влияние конструкции на характеристики субмикронных КНИ МОП-транзисторов / Мустафаев Г. А., Мустафаев Аб. Г., Мустафаев Ар. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - № 7. -С. 8-12 .
Влияние конструкции на характеристики субмикронных КНИ МОП-транзисторов / Мустафаев Г. А., Мустафаев Аб. Г., Мустафаев Ар. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - № 7. -
