68 записей
Автореферат диссертации
Шупенев А. Е.
Разработка технологии создания высокоэффективных тонкопленочных термоэлектрических материалов методом импульсного лазерного осаждения : автореф. дис... ктн : 05. 02. 07 : 05. 27. 06 / Шупенев А. Е. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2017. - 16 с.
Разработка технологии создания высокоэффективных тонкопленочных термоэлектрических материалов методом импульсного лазерного осаждения : автореф. дис... ктн : 05. 02. 07 : 05. 27. 06 / Шупенев А. Е. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2017. - 16 с.
Диссертация
Шупенев А. Е.
Разработка технологии создания высокоэффективных тонкопленочных термоэлектрических материалов методом импульсного лазерного осаждения : дис... ктн : 05. 02. 07 : 05. 27. 06 / Шупенев А. Е. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2017. - 131 л. : ил. - Библиогр.:л. 113-123 .
Разработка технологии создания высокоэффективных тонкопленочных термоэлектрических материалов методом импульсного лазерного осаждения : дис... ктн : 05. 02. 07 : 05. 27. 06 / Шупенев А. Е. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2017. - 131 л. : ил. - Библиогр.:
Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) : материалы 19 Международной научно-технической конф., Москва, 11-13 сентября 2014 г. Тонкие пленки в электронике : материалы 26 Международной научно-технической конф., Москва, 11-13 сентября 2014 г. Наноинженерия : материалы 6 Международной нучно-технической конф., Москва, 11-13 сентября 2014 г. / [к сб.в целом] МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2014. - 413 с. : ил. - Библиогр. в конце статей . - Посвящается 75-летию специальности "Электронное машиностроение". - ISBN 5-902740-04-05 .
Диссертация
Ибрагимов А. Р.
Физико-технологические основы управляемого формирования фотонно-кристаллических отражающих слоёв фотонно-плазмонных систем : 2. 2. 3-Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Ибрагимов А. Р. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М., 2025. - 166 л. : ил. - Библиогр.:л. 147-166 .
Физико-технологические основы управляемого формирования фотонно-кристаллических отражающих слоёв фотонно-плазмонных систем : 2. 2. 3-Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Ибрагимов А. Р. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М., 2025. - 166 л. : ил. - Библиогр.:
Автореферат диссертации
Ибрагимов А. Р.
Физико-технологические основы управляемого формирования фотонно-кристаллических отражающих слоёв фотонно-плазмонных систем : 2. 2. 3-Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Ибрагимов А. Р. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М., 2025. - 16 с. : ил. - Библиогр.:с. 16 .
Физико-технологические основы управляемого формирования фотонно-кристаллических отражающих слоёв фотонно-плазмонных систем : 2. 2. 3-Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Ибрагимов А. Р. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М., 2025. - 16 с. : ил. - Библиогр.:
Автореферат диссертации
Пандас А. М.
Наноструктурированные анодные оксидные плёнки на ниобии и титане : 1. 3. 8-Физика конденсироанного состояния : автореф. дис... ктн / Пандас А. М. ; Петрозаводский государственный университет. - М., 2026. - 17 с. : ил. - Библиогр.:с. 16-17 .
Наноструктурированные анодные оксидные плёнки на ниобии и титане : 1. 3. 8-Физика конденсироанного состояния : автореф. дис... ктн / Пандас А. М. ; Петрозаводский государственный университет. - М., 2026. - 17 с. : ил. - Библиогр.:
Диссертация
Пандас А. М.
Наноструктурированные анодные оксидные плёнки на ниобии и титане : 1. 3. 8-Физика конденсироанного состояния : дис... ктн / Пандас А. М. ; Петрозаводский государственный университет. - Петрозаводск, 2025. - 205 л. : ил. - Библиогр.:л. 168-189 .
Наноструктурированные анодные оксидные плёнки на ниобии и титане : 1. 3. 8-Физика конденсироанного состояния : дис... ктн / Пандас А. М. ; Петрозаводский государственный университет. - Петрозаводск, 2025. - 205 л. : ил. - Библиогр.:
Александрова О. А., Лебедев А. О., Мараева Е. В.
Введение в технологию материалов микроэлектроники : учебник / Александрова О. А., Лебедев А. О., Мараева Е. В. - СПб. : Лань, 2025. - (Высшее образование). -ISBN 978-5-507-45478-5 .
Ч. 3 : Эпитаксиальный рост. - 2025. - 212 с. : ил. - Библиогр.:с. 207-210 . - ISBN 978-5-507-45481-5 .
Введение в технологию материалов микроэлектроники : учебник / Александрова О. А., Лебедев А. О., Мараева Е. В. - СПб. : Лань, 2025. - (Высшее образование). -
Ч. 3 : Эпитаксиальный рост. - 2025. - 212 с. : ил. - Библиогр.:
Моделирование роста и легирования полупроводниковых плёнок методом Монте-Карло : монография / Александров Л. Н., Бочкова Р. В., Коган А. Н., Тихонова Н. П. ; Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников ; отв. ред. Стенин С. И. - Новосибирск : Наука, Сибирское отделение, 1991. - 165 с. : ил. - Библиогр.: с. 150-162 . - ISBN 5-02-029696-1 .
