Личный кабинет
12 записей
Диссертация
Булыгина Е. В.
Повышение выхода годных СБИС путём удаления привнесённых микрочастиц в вакууме : 05.27.07 : дис... ктн / Булыгина Е. В. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 1997. - 182 л. - Библиогр.:л.174-180 .
Повышение выхода годных СБИС путём удаления привнесённых микрочастиц в вакууме : 05.27.07 : дис... ктн / Булыгина Е. В. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 1997. - 182 л. - Библиогр.:
1 экз.
Автореферат диссертации
Булыгина Е. В.
Повышение выхода годных СБИС путём удаления привнесенных микрочастиц в вакууме : 05.27.07 : автореф. дис... ктн / Булыгина Е. В. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 1997. - 16 с.
Повышение выхода годных СБИС путём удаления привнесенных микрочастиц в вакууме : 05.27.07 : автореф. дис... ктн / Булыгина Е. В. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 1997. - 16 с.
1 экз.
Автореферат диссертации
Родионов И. А.
Разработка литографических процессов изготовления СБИС с размерами элементов меньше длины волны экспонирующего излучения : автореф. дис... ктн : 05.11.14 / Родионов И. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2010. - 16 с.
Разработка литографических процессов изготовления СБИС с размерами элементов меньше длины волны экспонирующего излучения : автореф. дис... ктн : 05.11.14 / Родионов И. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2010. - 16 с.
Читать онлайн
2 экз.
Диссертация
Родионов И. А.
Разработка литографических процессов изготовления СБИС с размерами элементов меньше длины волны экспонирующего излучения : дис... ктн : 05.11.14 / Родионов И. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2010. - 165 л. - Библиогр.:л.154-162 .
Разработка литографических процессов изготовления СБИС с размерами элементов меньше длины волны экспонирующего излучения : дис... ктн : 05.11.14 / Родионов И. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2010. - 165 л. - Библиогр.:
1 экз.
Автореферат диссертации
Глушко А. А.
Методы моделирования элементов КНИ КМОП СБИС с субмикронными проектными нормами : автореф. дис... ктн : 05.13.12 / Глушко А. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2011. - 16 с.
Методы моделирования элементов КНИ КМОП СБИС с субмикронными проектными нормами : автореф. дис... ктн : 05.13.12 / Глушко А. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2011. - 16 с.
2 экз.
Диссертация
Глушко А. А.
Методы моделирования элементов КНИ КМОП СБИС с субмикронными проектными нормами : дис.... ктн : 05.13.12 / Глушко А. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2011. - 128 л. : ил. - Библиогр.:л.120-125 .
Методы моделирования элементов КНИ КМОП СБИС с субмикронными проектными нормами : дис.... ктн : 05.13.12 / Глушко А. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2011. - 128 л. : ил. - Библиогр.:
1 экз.
Диссертация
Верстов В. А.
Параллельный алгоритм трансформации топологического слоя цифровой схемы при наличии ограничений технологии двойного шаблона : дис... ктн : 05.13.01 : 05.13.05 / Верстов В. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2016. - 129 л. : ил. - Библиогр.:л.120-129 .
Параллельный алгоритм трансформации топологического слоя цифровой схемы при наличии ограничений технологии двойного шаблона : дис... ктн : 05.13.01 : 05.13.05 / Верстов В. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2016. - 129 л. : ил. - Библиогр.:
1 экз.
Автореферат диссертации
Верстов В. А.
Параллельный алгоритм трансформации топологического слоя цифровой схемы при наличии ограничений технологии двойного шаблона : автореф. дис... ктн : 05.13.01 : 05.13.05 / Верстов В. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2016. - 16 с.
Параллельный алгоритм трансформации топологического слоя цифровой схемы при наличии ограничений технологии двойного шаблона : автореф. дис... ктн : 05.13.01 : 05.13.05 / Верстов В. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2016. - 16 с.
2 экз.
Автореферат диссертации
Королева А. Н.
Разработка научно-методических основ управления качеством базовых технологий, используемых при проектировании и производстве сверхбольших интегральных схем : 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Королева А. Н. ; Научно-исследовательский институт молекулярной электроники (АО "НИИМЭ"). - Москва, 2021. - 16 с.
Разработка научно-методических основ управления качеством базовых технологий, используемых при проектировании и производстве сверхбольших интегральных схем : 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Королева А. Н. ; Научно-исследовательский институт молекулярной электроники (АО "НИИМЭ"). - Москва, 2021. - 16 с.
2 экз.
Диссертация
Королева А. Н.
Разработка научно-методических основ управления качеством базовых технологий, используемых при проектировании и производстве сверхбольших интегральных схем : 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Королева А. Н. ; Научно-исследовательский институт молекулярной электроники (АО "НИИМЭ"). - Москва, 2021. - 123 л. : табл. - Библиогр.:л.107-116 .
Разработка научно-методических основ управления качеством базовых технологий, используемых при проектировании и производстве сверхбольших интегральных схем : 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Королева А. Н. ; Научно-исследовательский институт молекулярной электроники (АО "НИИМЭ"). - Москва, 2021. - 123 л. : табл. - Библиогр.:
1 экз.
