Личный кабинет
61 запись
Макарчук В. В.
Проектирование топологии биполярного планарно-эпитаксиального транзистора : метод. указания к курсовому проектированию по курсу "Технологические процессы микроэлектроники" / Макарчук В. В. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2005. - 19 с. : ил. - Библиогр.в конце брош.
Проектирование топологии биполярного планарно-эпитаксиального транзистора : метод. указания к курсовому проектированию по курсу "Технологические процессы микроэлектроники" / Макарчук В. В. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2005. - 19 с. : ил. - Библиогр.
Читать онлайн
12 экз.
Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, ТV-приемников и мониторов : справочник / сост. Авраменко Ю. Ф. - М. : Додэка-ХХI ; Киев : МК-Пресс, 2006. - 538 с. - (Элементарная база). - ISBN 5-94120-126-5 . - ISBN 966-8806-17-4 .
1 экз.
Мощные транзисторы для телевизоров и мониторов : справочник. - СПб. : Наука и Техника, 2005. - 444 с. - (Электронные компоненты). - ISBN 5-94387-184-5 .
2 экз.
Статья
Мустафаев А. Г.
Конструктивные и технологические способы улучшения параметров КНИ-МОП-транзисторов / Мустафаев А. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 6. -С. 37-42 .
Конструктивные и технологические способы улучшения параметров КНИ-МОП-транзисторов / Мустафаев А. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 6. -
Статья
Мустафаев А. Г.
Технология формирования кремниевых пластин со скрытым слоем / Мустафаев А. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 10. -С. 11-14 .
Технология формирования кремниевых пластин со скрытым слоем / Мустафаев А. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 10. -
Статья
Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г.
Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы, изготовленные по КНС-технологии / Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2008. - № 9. -С. 44-46 .
Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы, изготовленные по КНС-технологии / Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2008. - № 9. -
Статья
Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г.
Проблемы масштабирования затворного диэлектрика для МОП-технологии / Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2008. - № 4. -С. 17-22 .
Проблемы масштабирования затворного диэлектрика для МОП-технологии / Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2008. - № 4. -
Статья
Мустафаев Г. А., Мустафаев А. Г.
Разработка процесса формирования глубокой изоляции структур кремний на изоляторе / Мустафаев Г. А., Мустафаев А. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - № 1. -С. 30-32 .
Разработка процесса формирования глубокой изоляции структур кремний на изоляторе / Мустафаев Г. А., Мустафаев А. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - № 1. -
Статья
Мустафаев Г. А., Мустафаев Аб. Г., Мустафаев Ар. Г.
Влияние конструкции на характеристики субмикронных КНИ МОП-транзисторов / Мустафаев Г. А., Мустафаев Аб. Г., Мустафаев Ар. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - № 7. -С. 8-12 .
Влияние конструкции на характеристики субмикронных КНИ МОП-транзисторов / Мустафаев Г. А., Мустафаев Аб. Г., Мустафаев Ар. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - № 7. -
Отечественные транзисторы: БСИТ, СИТ, БТИЗ. - М. : Додэка-ХХI, 2001. - (Библиотека электронных компонентов ; вып. 16). - ISBN 5-94120-042-0 .
1 экз.
