Личный кабинет
12 записей
Диссертация
Булыгина Е. В.
Повышение выхода годных СБИС путем удаления привнесенных микрочастиц в вакууме : 05. 27. 07 : дис... ктн / Булыгина Е. В. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 1997. - 182 л. - Библиогр.:л. 174-180 .
Повышение выхода годных СБИС путем удаления привнесенных микрочастиц в вакууме : 05. 27. 07 : дис... ктн / Булыгина Е. В. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 1997. - 182 л. - Библиогр.:
1 экз.
Автореферат диссертации
Булыгина Е. В.
Повышение выхода годных СБИС путем удаления привнесенных микрочастиц в вакууме : 05. 27. 07 : автореф. дис... ктн / Булыгина Е. В. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 1997. - 16 с.
Повышение выхода годных СБИС путем удаления привнесенных микрочастиц в вакууме : 05. 27. 07 : автореф. дис... ктн / Булыгина Е. В. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 1997. - 16 с.
1 экз.
Автореферат диссертации
Родионов И. А.
Разработка литографических процессов изготовления сбис с размерами элементов меньше длины волны экспонирующего излучения : автореф. дис... ктн : 05. 11. 14 / Родионов И. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2010. - 16 с.
Разработка литографических процессов изготовления сбис с размерами элементов меньше длины волны экспонирующего излучения : автореф. дис... ктн : 05. 11. 14 / Родионов И. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2010. - 16 с.
Читать онлайн
2 экз.
Диссертация
Родионов И. А.
Разработка литографических процессов изготовления сбис с размерами элементов меньше длины волны экспонирующего излучения : дис... ктн : 05. 11. 14 / Родионов И. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2010. - 165 л. - Библиогр.:л. 154-162 .
Разработка литографических процессов изготовления сбис с размерами элементов меньше длины волны экспонирующего излучения : дис... ктн : 05. 11. 14 / Родионов И. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2010. - 165 л. - Библиогр.:
1 экз.
Автореферат диссертации
Глушко А. А.
Методы моделирования элементов КНИ КМОП СБИС с субмикронными проектными нормами : автореф. дис... ктн : 05. 13. 12 / Глушко А. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2011. - 16 с.
Методы моделирования элементов КНИ КМОП СБИС с субмикронными проектными нормами : автореф. дис... ктн : 05. 13. 12 / Глушко А. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2011. - 16 с.
2 экз.
Диссертация
Глушко А. А.
Методы моделирования элементов КНИ КМОП СБИС с субмикронными проектными нормами : дис.... ктн : 05. 13. 12 / Глушко А. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2011. - 128 л. : ил. - Библиогр.:л. 120-125 .
Методы моделирования элементов КНИ КМОП СБИС с субмикронными проектными нормами : дис.... ктн : 05. 13. 12 / Глушко А. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2011. - 128 л. : ил. - Библиогр.:
1 экз.
Диссертация
Верстов В. А.
Параллельный алгоритм трансформации топологического слоя цифровой схемы при наличии ограничений технологии двойного шаблона : дис... ктн : 05. 13. 01 : 05. 13. 05 / Верстов В. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2016. - 129 л. : ил. - Библиогр.:л. 120-129 .
Параллельный алгоритм трансформации топологического слоя цифровой схемы при наличии ограничений технологии двойного шаблона : дис... ктн : 05. 13. 01 : 05. 13. 05 / Верстов В. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2016. - 129 л. : ил. - Библиогр.:
1 экз.
Автореферат диссертации
Верстов В. А.
Параллельный алгоритм трансформации топологического слоя цифровой схемы при наличии ограничений технологии двойного шаблона : автореф. дис... ктн : 05. 13. 01 : 05. 13. 05 / Верстов В. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2016. - 16 с.
Параллельный алгоритм трансформации топологического слоя цифровой схемы при наличии ограничений технологии двойного шаблона : автореф. дис... ктн : 05. 13. 01 : 05. 13. 05 / Верстов В. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2016. - 16 с.
2 экз.
Королева А. Н.
Разработка научно-методических основ управления качеством базовых технологий, используемых при проектировании и производстве сверхбольших интегральных схем : 05. 27. 06-Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Королева А. Н. ; Научно-исследовательский ин-т молекулярной электроники (АО "НИИМЭ"). - М., 2021. - 16 с.
Разработка научно-методических основ управления качеством базовых технологий, используемых при проектировании и производстве сверхбольших интегральных схем : 05. 27. 06-Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Королева А. Н. ; Научно-исследовательский ин-т молекулярной электроники (АО "НИИМЭ"). - М., 2021. - 16 с.
2 экз.
Королева А. Н.
Разработка научно-методических основ управления качеством базовых технологий, используемых при проектировании и производстве сверхбольших интегральных схем : 05. 27. 06-Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Королева А. Н. ; Научно-исследовательский ин-т молекулярной электроники (АО "НИИМЭ"). - М., 2021. - 123 л. : табл. - Библиогр.:л. 107-116 .
Разработка научно-методических основ управления качеством базовых технологий, используемых при проектировании и производстве сверхбольших интегральных схем : 05. 27. 06-Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Королева А. Н. ; Научно-исследовательский ин-т молекулярной электроники (АО "НИИМЭ"). - М., 2021. - 123 л. : табл. - Библиогр.:
1 экз.
