67 записей
Статья
Исследования диффузионных процессов в наноразмерных AlAs / GaAs полупроводниковых резонансно-туннельных гетероструктурах / Макеев М. О., Мешков С. А., Смирнова А. Е., Шашурин В. Д., Герасимов С. А. // Технология металлов. - 2016. - № 9. - С. 31-38 .
Статья
Исследования термической деградации резонансно-туннельных диодов на базе AlAs/GaAs-наногетероструктур / Макеев М. О., Иванов Ю. А., Мешков С. А., Синякин В. Ю. // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 12. - С. 23-29 .
Казаков В. Д.
Материалы нано-и оптоэлектроники в полупроводниковых и оптических системах : учебное пособие / Казаков В. Д. ; Чувашский гос. ун-т им. И. Н. Ульянова. - Чебоксары : Изд-во Чувашского ун-та, 2016. - 127 с. : ил. - Библиогр.:с. 127 . - ISBN 978-5-7677-2242-6 .
Материалы нано-и оптоэлектроники в полупроводниковых и оптических системах : учебное пособие / Казаков В. Д. ; Чувашский гос. ун-т им. И. Н. Ульянова. - Чебоксары : Изд-во Чувашского ун-та, 2016. - 127 с. : ил. - Библиогр.:
Ковтонюк Н. Ф., Концевой Ю. А.
Измерения параметров полупроводниковых материалов / Ковтонюк Н. Ф., Концевой Ю. А. - М. : Металлургия, 1970. - 428 с. : ил. - Библиогр.:с. 412-428 .
Измерения параметров полупроводниковых материалов / Ковтонюк Н. Ф., Концевой Ю. А. - М. : Металлургия, 1970. - 428 с. : ил. - Библиогр.:
Козловский В. В.
Модифицирование полупроводников пучками протонов / Козловский В. В. ; отв. ред. Малкович Р. Ш. - СПб. : Наука, 2003. - 267 с. : ил. - Библиогр.в конце гл. - ISBN 5-02-024988-2 .
Модифицирование полупроводников пучками протонов / Козловский В. В. ; отв. ред. Малкович Р. Ш. - СПб. : Наука, 2003. - 267 с. : ил. - Библиогр.
Статья
Контроль параметров дискретных слоистых наноразмерных структур / Апрелов С. А., Турьянский А. Г., Герасименко Н. Н., Пиршин И. В., Сенков В. М. // Российские нанотехнологии. - 2007. - Т. 2, № 3-4. - С. 130-133 .
Кравченко А. Ф., Овсюк В. Н.
Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности / Кравченко А. Ф., Овсюк В. Н. - Новосибирск : Изд-во Новосибирского ун-та, 2000. - 447 с. : ил. - Библиогр.:с. 433-447 . - ISBN 5-7615-0498-7 .
Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности / Кравченко А. Ф., Овсюк В. Н. - Новосибирск : Изд-во Новосибирского ун-та, 2000. - 447 с. : ил. - Библиогр.:
Куэй Р.
Электроника на основе нитрида галлия / Куэй Р. ; пер. с англ. Концевой Ю. А., Митрофанов Е. А. ; ред. пер. Васильев А. Г. - М. : ТЕХНОСФЕРА, 2011. - 587 с. : ил. - (Мир радиоэлектроники). - Библиогр.в конце гл. - ISBN 978-5-94836-296-0 .
Электроника на основе нитрида галлия / Куэй Р. ; пер. с англ. Концевой Ю. А., Митрофанов Е. А. ; ред. пер. Васильев А. Г. - М. : ТЕХНОСФЕРА, 2011. - 587 с. : ил. - (Мир радиоэлектроники). - Библиогр.
Статья
Макеев М. О., Мешков С. А., Иванов Ю. А.
Исследования коэффициентов диффузии Al и Si в AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктурах / Макеев М. О., Мешков С. А., Иванов Ю. А. // Нано- и микросистемная техника. - 2016. - Т. 18, № 8. -С. 493-503 .
Исследования коэффициентов диффузии Al и Si в AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктурах / Макеев М. О., Мешков С. А., Иванов Ю. А. // Нано- и микросистемная техника. - 2016. - Т. 18, № 8. -
Статья
Марин В. П., Сидорова А. В.
Нетрадиционная электроэнергетика - шаг к технологиям будущего / Марин В. П., Сидорова А. В. // Наукоемкие технологии. - 2012. - Т. 13, № 10. -С. 10-19 .
Нетрадиционная электроэнергетика - шаг к технологиям будущего / Марин В. П., Сидорова А. В. // Наукоемкие технологии. - 2012. - Т. 13, № 10. -