Подробное описание документа
Журнал
Нано- и микросистемная техника.
№ 2. - 2008.
1 экз.
Вы можете получить данный документ в одном из следующих отделов
- Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
- Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313
Содержание
с. 2-8
Статья
Носов Ю. Р., Сметанов А. Ю.
На пути в наноэлектронику (Исторические параллели и сопоставления) / Носов Ю. Р., Сметанов А. Ю.
На пути в наноэлектронику (Исторические параллели и сопоставления) / Носов Ю. Р., Сметанов А. Ю.
с. 8-12
Статья
Галушков А. И., Погалов А. И., Сауров А. Н.
Моделирование виброрезонансных наноэлементов для сверхчувствительных устройств контроля массы / Галушков А. И., Погалов А. И., Сауров А. Н.
Моделирование виброрезонансных наноэлементов для сверхчувствительных устройств контроля массы / Галушков А. И., Погалов А. И., Сауров А. Н.
с. 13-15
Статья
Вавилов В. Д., Глазков О. Н.
Математическая модель погрешностей и оборудование для статистических испытаний микросистемных акселерометров / Вавилов В. Д., Глазков О. Н.
Математическая модель погрешностей и оборудование для статистических испытаний микросистемных акселерометров / Вавилов В. Д., Глазков О. Н.
с. 16-30
Статья
Формирование наноструктурированных пленок и слоистых структур иридия и поликластерного алмаза / Белянин А. Ф., Самойлович М. И., Дзбановский Н. Н., Пащенко П. В., Тимофеев М. А.
с. 31-42
Статья
Булыгина Е. В.
Электрохимическое внедрение металлов в пустоты опаловой матрицы / Булыгина Е. В.
Электрохимическое внедрение металлов в пустоты опаловой матрицы / Булыгина Е. В.
с. 43-45
Статья
Зайцев Н. А., Пастухова Ю. М.
Модель поведения электронов в структуре сегнетоэлектрика / Зайцев Н. А., Пастухова Ю. М.
Модель поведения электронов в структуре сегнетоэлектрика / Зайцев Н. А., Пастухова Ю. М.
с. 45-47
Статья
Теплова Т. Б.
Исследование возможности обработки хрупких твердых кристаллических материалов электронной техники в режиме квазипластичности для совершенствования качества обрабатываемой поверхности / Теплова Т. Б.
Исследование возможности обработки хрупких твердых кристаллических материалов электронной техники в режиме квазипластичности для совершенствования качества обрабатываемой поверхности / Теплова Т. Б.
с. 47-53
Статья
Алексенко А. Г., Балан Н. Н., Волков Ю. А.
О динамическом поведении упругих элементов МЭМС-устройств в присутствии эффекта электростатического схлопывания / Алексенко А. Г., Балан Н. Н., Волков Ю. А.
О динамическом поведении упругих элементов МЭМС-устройств в присутствии эффекта электростатического схлопывания / Алексенко А. Г., Балан Н. Н., Волков Ю. А.
с. 53-63
Статья
Адамов Д. Ю., Матвеенко О. С.
Усовершенствование структур МОП-транзисторов в нанометровых технологиях / Адамов Д. Ю., Матвеенко О. С.
Усовершенствование структур МОП-транзисторов в нанометровых технологиях / Адамов Д. Ю., Матвеенко О. С.
с. 63-66
Статья
Белозубов Е. М., Белозубова Н. Е.
Повышение устойчивости МЭМС-структур тонкопленочных датчиков к воздействию виброускорений и температур / Белозубов Е. М., Белозубова Н. Е.
Повышение устойчивости МЭМС-структур тонкопленочных датчиков к воздействию виброускорений и температур / Белозубов Е. М., Белозубова Н. Е.
с. 67-69
Статья
Козырев В. В.
Разработка мехатронных модулей с высокой разрешающей способностью для нанотехнологии / Козырев В. В.
Разработка мехатронных модулей с высокой разрешающей способностью для нанотехнологии / Козырев В. В.
с. 70-77
Статья
Соборовер Э. И., Кряжев С. А.
Разработка бифункциональной акустооптической измерительной ячейки сенсорного типа для физико-химических и медико-биологических исследований нанопленок (технология "Lab on Chip"). Часть 1. Конструкция, сочетающая измерения на поверхностно-акустических волнах и в режиме многократного поглощения и отражения света / Соборовер Э. И., Кряжев С. А.
Разработка бифункциональной акустооптической измерительной ячейки сенсорного типа для физико-химических и медико-биологических исследований нанопленок (технология "Lab on Chip"). Часть 1. Конструкция, сочетающая измерения на поверхностно-акустических волнах и в режиме многократного поглощения и отражения света / Соборовер Э. И., Кряжев С. А.